DFB és DBR lézerek-Globális beszállító

Termékcsoportok

Céginformáció

DFB és DBR lézerek

A termék adatai

DFBésDBR lézer

Nagy teljesítményű 1550nm DFB lézer

Fő jellemzői:

Alkalmazás:

Elektromos jellemzők:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Működési chip hőmérséklet	T_CHIP		20		35	°C
Küszöbérték áram	I_TH			50		mA
Lézer meghajtó áram	I_OP			375	500	mA
Lézer pozitív feszültség	V_F	I= I_MAX			3	V
Kimeneti teljesítmény	P_OP	100mW Version, I=I_OP	100			mW
		80mW Version, I=I_OP	80
		63mW Version, I=I_OP	63
		50mW Version, I=I_OP	50
		40mW Version, I=I_OP	40
Központi frekvencia	F_OPT	P=P_OP	See ordering information			THz
Vonalszélesség	Δν			1		MHz
Relativ zajerősség	RIN	P=P_OP, 0.2GHz→14GHz			-150	dB/Hz
Első formás elnyomási arány	SMSR	P=P_OP	30			dB
Optikai elszigetelés	ISO		30	35		dB
Fénycsökkentési arány	PER		17	21		dB
Fényérzékeny dióda áram ellenőrzése	I_PD		100			µA
Fényérzékeny dióda sötét áram felügyelete	I_D				100	nA
Hibák nyomon követése			-0.5		0.5	dB
TEC áram		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			4.0	A
TEC feszültség		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			4.0	V
Hőrezisztor impedancia	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Hőellenálló β koeficient	β	0 / 50°C		3892

Nagy sávszélességű DFB lézer

Fő jellemzői:

Elektromos jellemzők:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Működési chip hőmérséklet	T_CHIP		15		35	°C
Küszöbérték áram	I_TH		8		20	mA
Lézer meghajtó áram	I_OP			75	100	mA
Lézer pozitív feszültség	V_F	I= I_MAX		1.6	2	V
Kimeneti teljesítmény	P_OP	I=I_OP	18			mW
Központi hullámhossz	λ	P=P_OP		1310 1550		nm
Vonalszélesség	Δ ν			1		MHz
Relativ zajerősség	RIN	P=P_OP, 0.2GHz→3GHz			-150	dB/Hz
Első formás elnyomási arány	SMSR	P=P_OP	30			dB
Optikai elszigetelés	ISO		30	35		dB
Fénycsökkentési arány	PER		17	19		dB
Fényérzékeny dióda áram ellenőrzése	I_PD		50			µA
Fényérzékeny dióda sötét áram felügyelete	I_D				100	nA
Hibák nyomon követése			-0.5		0.5	dB
TEC áram		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			2.0	A
TEC feszültség		T_OP=70°C, P=P_OP, T_CHIP=25°C			2.5	V
Hőrezisztor impedancia	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Hőállomás β koeficient	β	0 / 50°C		3892

1064nm DBR lézer

Fő jellemzői:

Alkalmazás:

Elektromos jellemzők:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Működési chip hőmérséklet	T_CHIP		15		35	°C
Küszöbérték áram	I_TH			40	50	mA
Lézer meghajtó áram	I_OP			500	550	mA
Lézer pozitív feszültség	V_F	I= I_MAX		2.0	2.5	V
Kimeneti teljesítmény	P_OP	I=I_OP		150		mW
Központi hullámhossz	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Vonalszélesség	Δ ν			8	10	MHz
Első formás elnyomási arány	SMSR	P=P_OP	-30			dB
Fénycsökkentési arány	PER		14	19		dB
Fényérzékeny dióda áram ellenőrzése	I_PD	P=P_OP	50			µA
Fényérzékeny dióda sötét áram felügyelete	I_D				100	nA
TEC áram		ΔT=25°C, P=P_OP			3.5	A
TEC feszültség		ΔT=25°C, P=P_OP			3.5	V
Hőrezisztor impedancia	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Hőállomás β koeficient	β	0 / 50°C		3892

1064 nm nagy teljesítményű DFB lézer

Fő jellemzői:

Alkalmazás:

Elektromos jellemzők:

T_OP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Működési chip hőmérséklet	T_CHIP		20		40	°C
Küszöbérték áram	I_TH			17		mA
Lézer meghajtó áram	I_OP				400	mA
Lézer pozitív feszültség	V_F	I= I_MAX			3	V
Kimeneti teljesítmény	P_OP	I=I_OP	50			mW
Központi hullámhossz	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Vonalszélesség	Δ ν				0.1	nm
Első formás elnyomási arány	SMSR	P=P_OP	40			dB
Fénycsökkentési arány	PER		17	21		dB
Fényérzékeny dióda áram ellenőrzése	I_PD	P=P_OP	100			µA
Fényérzékeny dióda sötét áram felügyelete	I_D				100	nA
TEC áram		ΔT=25°C, P=P_OP			3	A
TEC feszültség		ΔT=25°C, P=P_OP			3	V
Hőrezisztor impedancia	R_TH	T=25°C	9500	10000	10500	Ω
Hőállomás β koeficient	β	0 / 50°C		3892

Online érdeklődés